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阿斯麦|10年迭代缩短为3年：ASML EUV光刻机大跃进( 三 )


同时 ， 增加消光系数会减少三维效应 。
然而 ， n和k不是掩模制造商可以简单地在工艺刻度盘上设置的独立参数 ， 它们是材料属性 ， 因此彼此相关 ， 并与吸收器的其他特性相关 。为了采用新材料 ， 掩模制造商必须能够蚀刻它并修复缺陷 。
目前用于钽吸收体的反应性离子蚀刻是一些候选材料的一种选择 ， 但新的吸收体仍可能需要新的蚀刻工艺和新的化学物质 。“因为接触层和金属层有不同的要求 ， 他们可能也需要不同的吸收体 。”Ronse说 。
按照他所说 ， 在这方面还没有出现共识选择 ， 然而为了继续进行工艺开发 ， 掩模制造商也需要行业的额外指导 。
Semiengineering进一步指出 ， 光在穿过光掩模的吸收器图案后 ， EUV 光子遇到硅片及其光刻胶层（ photoresist blanket） 。减小的焦深使得同时保持光刻胶叠层的顶部和硅片平面聚焦变得更加困难 。
如果焦点错误使相邻特征靠得太近 ， 则间隙无法清除并出现桥接缺陷 。如果特征之间的空间太大 ， 则所得到的光刻胶特征太薄并在其自身重量下塌陷 。
因此降低光刻胶的厚度既可以提高焦点 ， 又可以降低图案崩塌的风险 。但与此同时 ， 也会带来额外的挑战 。如在报道中披露 ， 一种有希望的替代品是金属氧化物光刻胶 。
据报道 ， 这种光刻胶使用入射光子来分解氧化锡纳米团簇（ tin-oxide nanoclusters） 。氧化物簇（oxide clusters ）可溶于显影剂中 ， 而金属锡则不溶这些是负性光刻胶 。曝光使材料不溶 。
金属氧化物本质上更耐蚀刻并吸收更多的 EUV 光子 ， 从而使它们能够以更薄的层实现可比的结果 。但不幸的是 ， 接触孔 ， 可能是高数值孔径 EUV 曝光的第一个应用 ， 然而它需要正的光刻胶 。
此外 ， 其他与 EUV 相关技术也在研究中 ， 例如 pellicles 。这是一个用于覆盖掩膜 ， 防止颗粒落在其上的产品 。
相关报道指出 ， ASML 开发了新的 EUV pellicles 。同时 ， Imec 的碳纳米管pellicles在 ASML 的 EUV 扫描仪上的透射率达到了 97.7% 。单壁和多壁pellicles都是有前途的 。
按照Imec 技术人员的主要成员 Emily Gallagher 所说：“这两种类型都表现良好 ， 在 CD 均匀性、LWR 和耀斑方面 ， 与无pellicle参考相比 ， 成像差异极小 。根据测量的这些pellicle的 EUV 吸收率在 95.3% 到 97.7% 之间 ， 预计剂量会略有增加 。”
写在最后
在生态系统的共同努力下 ， ASML正在努力土推动High-NA光刻机成为可能 。与此同时 ， 他们还在加大EUV光刻机的产能提升 ， 并与产业一起 ， 推动这些先进的技术面向更多的应用 。
根据ASML 在一季度财务会议上披露的数据 ， 公司的目标是在 2022 年出货 55 台 EUV系统 ， 并到 2025 年实现（最多）90 台工具的计划 。ASML 同时还承认 ，  90 台可能超过 2025 年的实际需求 ， 不过他们将其描述为为满足2030 年 1 万亿美元半导体行业需求所做出的巨大努力 。
【阿斯麦|10年迭代缩短为3年：ASML EUV光刻机大跃进】Christophe Fouquet在高盛的会议上则强调 ， High NA EUV光刻机将首先在逻辑芯片上应用 ， 随后 ， DRAM乃至3D DRAM也会是High NA EUV光刻机关注的方向 。


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